过热点是一种冶金、电子工程的专业术语。用深能级瞬态谱(DLTS)和液晶显示等技术分析了软特性硅功率器件体内‘’过热点‘’的微观结构及形成原因。表明：在高温扩散工艺中，较大温度梯度产生的局部热应力场，造成重金属杂质择优淀积，使晶体缺陷电激活,是产生体内‘’过热点‘’的根源。根据热加速场发射效应解释了‘’过热点"对硅功率器件电学性能的影响。
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