位错芯是研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响，使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错，和导致30°部分位错运动的弯结结构，以及位错芯重构缺陷（RD）与弯结组合而生成的弯结－RD结构。
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